高纯氧气主要用于标准气配制，集成电路和半导体器件生产，气体火焰加工。
对于MOS场效应器件，氧化层必须相当致密。与四氟化碳混合，工业氧气，用于等离子刻蚀。高纯氧用于二氧化硅的化学气相淀积；作为氧化源和产生高纯水的反应剂；采用高纯氧气进行干法氧化，其氧化层结构致密，工业氧气报价，正电荷少，耐压高。还用于金属的切割和焊接、炼钢、国防、电子、化工、冶金等部门。
如何制造工业氧气
冷却并压缩空气使空气液化，合肥氧气，然后控制温度在-195.8℃
到183℃之间使氮气蒸发，剩下的就是氧气。
氮气的沸点：-195.8℃
氧气的沸点为：-183℃
工业制取氧气是利用混合物各组成成分沸点不同而分离混合物的方法制得
原理是：利用N2、O2的沸点不同
氮气的沸点是-195.8℃
氧气的沸点为是-183℃
所以将空气压缩，使空气液化.液氮先被蒸发，余下的是液氧．
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